Ядро: GA104
Техпроцесс, нм: 7
Транзисторов, млн: 30000
Частота работы ядра, МГц: 1410–1695
Шейдерных блоков: 3072
Частота работы памяти (DDR), МГц: 2000 (16000)
Шина памяти: 256-bit GDDR6
Объем памяти: 8192mb
DirectX: 12 (12_2)
Интерфейс: PCI-E 4.0
Энергопотребление, Вт: 220